NTMTS1D6N10MCTXG دیتاشیت

NTMTS1D6N10MCTXG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMTS1D6N10MCTXG
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NTMTS1D6N10MCTXG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTMTS1D6N10MCTXG
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 291W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 106nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7.63nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 273A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@650uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 80pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.42mΩ@10V,90A
  • Package: DFNW-8(8.4x8.3)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه