HYG055N08NS1P دیتاشیت

HYG055N08NS1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG055N08NS1B
حجم فایل 65.284 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG055N08NS1B-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG055N08NS1P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 187.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3660pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 15pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.3mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220FB-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه