دیتاشیت 2SK3878(STA1,E,S)
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | 2SK3878(STA1,E,S) |
|---|---|
| حجم فایل | 83.275 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت 2SK3878(STA1,E,S) |
2SK3878(STA1,E,S) Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: TOSHIBA 2SK3878(STA1,E,S)
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 150W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 900V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.2nF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 9A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 190pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@10V,4A
- Package: SC-65
- Manufacturer: TOSHIBA
