GT125N10T دیتاشیت

GT125N10M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GT125N10M
حجم فایل 69.383 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت GT125N10M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GT125N10T
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 192W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 101.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.1246nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 15.1pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@10V,60A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه