PHE13003A,412 دیتاشیت

PHE13003A,412

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHE13003A,412
حجم فایل 46.52 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت PHE13003A,412

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: WeEn Semiconductors PHE13003A,412
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 7.5@800mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): -
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@750mA,250mA
  • Package: TO-92
  • Manufacturer: WeEn Semiconductors

محصولات مشابه