FDG6316P-VB دیتاشیت

FDG6316P-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDG6316P-VB
حجم فایل 72.325 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت FDG6316P-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec FDG6316P-VB
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 1.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 155mΩ@4.5V,1.8A
  • Package: SC-70-6
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه