دیتاشیت TK32E12N1,S1X
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
TK32E12N1,S1X
|
| حجم فایل |
74.824
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA TK32E12N1,S1X
-
Power Dissipation (Pd):
98W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
34nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
120V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2000pF@60V
-
Continuous Drain Current (Id):
60A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@500uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
13.8mΩ@10V,16A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
TOSHIBA
