NCE30P20Q دیتاشیت

NCE30P20Q

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE30P20Q
حجم فایل 75.647 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NCE30P20Q

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P20Q
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 35W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.13nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 227pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه