IV1Q12160T3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IV1Q12160T3
|
|
حجم فایل
|
63.699
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
InventChip IV1Q12160T3
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
134W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
43nC@-5V~20V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
1200V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
895pF@800V
-
Continuous Drain Current (Id):
19A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.9V@1.9mA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
2pF@800V
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
160mΩ@20V,10A
-
Package:
TO-247
-
Manufacturer:
InventChip
