onsemi FCP125N65S3 دیتاشیت

FCP125N65S3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCP125N65S3
حجم فایل 65.202 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCP125N65S3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-Channel
  • Package: TO-220
  • RDS(on): 125mΩ@10V,12A
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Manufacturer: onsemi
  • Gate Charge(Qg): 46nC@10V
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Pd - Power Dissipation: -
  • Drain to Source Voltage: 650V
  • Input Capacitance(Ciss): 1.94nF@400V
  • Current - Continuous Drain(Id): 24A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 4.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 439pF@400V

محصولات مشابه