GOFORD XM2N200 دیتاشیت

XM2N200

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت XM2N200
حجم فایل 77.993 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت XM2N200

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD XM2N200
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@100V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 190V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1325pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 356.6mΩ@10V,1A
  • Package: TO-92-3

محصولات مشابه