دیتاشیت SQD50N06-09L_GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SQD50N06-09L_GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 85.744 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SQD50N06-09L_GE3 |
SQD50N06-09L_GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SQD50N06-09L_GE3
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 136W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 72nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 3065pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,20A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Vishay Intertech
