IPS80R900P7 دیتاشیت

IPS80R900P7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPS80R900P7
حجم فایل 76.415 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IPS80R900P7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPS80R900P7
  • Power Dissipation (Pd): 45W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@110uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V,2.2A
  • Package: TO-251-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه