SI4599DY-T1-GE3 دیتاشیت

SI4599DY-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4599DY-T1-GE3
حجم فایل 87.363 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت SI4599DY-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4599DY-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3W;3.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 20nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 640pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.8A;5.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35.5mΩ@5A,10V
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه