NTP165N65S3H دیتاشیت

NTP165N65S3H

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTP165N65S3H
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت NTP165N65S3H

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTP165N65S3H
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 142W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 35nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.808nF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 19A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1.6mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 132mΩ@10V,9.5A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه