PPT8N30E2 دیتاشیت

PPT8N30E2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PPT8N30E2
حجم فایل 68.183 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت PPT8N30E2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Shanghai Prisemi Elec PPT8N30E2
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@1A,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 32V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@2A,200mA
  • Package: DFN-8(2x3)
  • Manufacturer: Shanghai Prisemi Elec

محصولات مشابه