onsemi EMT1DXV6T5G دیتاشیت

NSVEMT1DXV6T5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSVEMT1DXV6T5G
حجم فایل 76.436 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NSVEMT1DXV6T5G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi EMT1DXV6T5G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 140MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@1mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@5mA,50mA
  • Package: SOT-563

محصولات مشابه