- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SI2301DS-T1-GE3-VB
دیتاشیت SI2301DS-T1-GE3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2301DS-T1-GE3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 72.223 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
SI2301DS-T1-GE3-VB |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI2301DS-T1-GE3-VB
- Power Dissipation (Pd): -
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
- Drain Source Voltage (Vdss): 20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): -
- Continuous Drain Current (Id): 5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 43mΩ@4.5V,5A
- Package: SOT-23(TO-236)
- Manufacturer: VBsemi Elec