YJQ50N03A دیتاشیت

YANGJIE YJQ50N03A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YANGJIE YJQ50N03A
حجم فایل 65.904 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت YANGJIE YJQ50N03A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJQ50N03A
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 42W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 54nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.504nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 283pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.9mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-8-EP(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه