IPL60R650P6S دیتاشیت

IPL60R650P6S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPL60R650P6S
حجم فایل 33.21 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPL60R650P6S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPL60R650P6S
  • Power Dissipation (Pd): 56.8W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@200uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 650mΩ@10V,2.4A
  • Package: ThinPAK(5x6)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه