IPB160N04S2-03 دیتاشیت

IPB160N04S2-03

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB160N04S2-03
حجم فایل 58.674 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت IPB160N04S2-03

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB160N04S2-03
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 160A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.9mΩ@10V,60A
  • Package: TO-263-7
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه