UT3N10G-AE3-R دیتاشیت

UT3N10G-AE3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت UT3N10G-AE3-R
حجم فایل 73.422 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت UT3N10G-AE3-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) UT3N10G-AE3-R
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 20nC@80V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 720pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 36pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 165mΩ@10V,3A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)

محصولات مشابه