VBZE80P03 دیتاشیت

VBZE80P03

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZE80P03
حجم فایل 63.23 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت VBZE80P03

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZE80P03
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 65A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,65A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه