IPSA70R1K4P7S دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPSA70R1K4P7S
|
|
حجم فایل
|
78.851
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
13
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPSA70R1K4P7S
-
Power Dissipation (Pd):
22.7W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
700V
-
Continuous Drain Current (Id):
4A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@40uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.4Ω@10V,700mA
-
Package:
TO-251
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
