IPD40DP06NM دیتاشیت

IPD40DP06NM

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD40DP06NM
حجم فایل 46.576 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IPD40DP06NM

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD40DP06NM
  • Power Dissipation (Pd): 19W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@166uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 400mΩ@10V,4.3A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه