ISS55EP06LM دیتاشیت

Infineon ISS55EP06LMXTSA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Infineon ISS55EP06LMXTSA1
حجم فایل 47.433 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت Infineon ISS55EP06LMXTSA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies ISS55EP06LM
  • Power Dissipation (Pd): 400mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 180mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@11uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5Ω@10V,180mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه