ISS55EP06LM دیتاشیت

Infineon ISS55EP06LMXTSA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Infineon ISS55EP06LMXTSA1
حجم فایل 47.433 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت Infineon ISS55EP06LMXTSA1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies ISS55EP06LM
  • Power Dissipation (Pd): 400mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 180mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@11uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.5Ω@10V,180mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه