دیتاشیت DXT5551-13

DXT5551-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DXT5551-13
حجم فایل 66.005 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت DXT5551-13

DXT5551-13 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Diodes Incorporated DXT5551-13
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Transition Frequency (fT): 300MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 80@10mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

دیتاشیت محصولات مشابه