VBZMB20N65S دیتاشیت

VBZMB20N65S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZMB20N65S
حجم فایل 78.564 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت VBZMB20N65S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZMB20N65S
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@10V,20A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه