VBZE80N10 دیتاشیت

VBZE80N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZE80N10
حجم فایل 71.285 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت VBZE80N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZE80N10
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@10V,25A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه