MATSUKI ME2612-G دیتاشیت

ME2612-G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ME2612-G
حجم فایل 77.545 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت ME2612-G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: MATSUKI ME2612-G
  • Operating Temperature: -
  • Power Dissipation (Pd): 2.9W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10.2nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 543pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 24pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 310mΩ@4.5V,2A
  • Package: SOT-223-4

محصولات مشابه