NCE6602 دیتاشیت

NCE6602

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE6602
حجم فایل 77.673 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت NCE6602

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE6602
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 210pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 23pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 36mΩ@10V,3.5A
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه