RU6888S-R دیتاشیت

RU6888S-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU6888S-R
حجم فایل 73.351 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت RU6888S-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU6888S-R
  • Power Dissipation (Pd): 120W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 68V
  • Continuous Drain Current (Id): 88A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,40A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon

محصولات مشابه