- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت MMBTA06W_R1_00001
MMBTA06W_R1_00001 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | MMBTA06W_R1_00001 |
|---|---|
| حجم فایل | 72.673 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت MMBTA06W_R1_00001 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet: PANJIT International MMBTA06W_R1_00001
- Transistor Type: NPN
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic): 500mA
- Power Dissipation (Pd): 225mW
- Transition Frequency (fT): 100MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@100mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,100mA
- Package: SOT-323-3
- Manufacturer: PANJIT International