- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HY1904C2
HY1904C2 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY1904C2 |
|---|---|
| حجم فایل | 68.121 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت HY1904C2 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY1904C2
- Power Dissipation (Pd): 48W
- Drain Source Voltage (Vdss): 40V
- Continuous Drain Current (Id): 65A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,20A
- Package: DFN-8(5.2x5.9)
- Manufacturer: HUAYI