AIGW50N65H5 دیتاشیت

AIGW50N65H5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AIGW50N65H5
حجم فایل 58.515 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت AIGW50N65H5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies AIGW50N65H5
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 83A
  • Power Dissipation (Pd): 270W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 21ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 2.8nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.45mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): -
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 116nC@50A,15V
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 173ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 150A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.16mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): -
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 40uA@650V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 650V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 4V@500uA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.66V@50A,15V
  • Package: TO-247-3-41
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه