RQ3C150BCTB دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
RQ3C150BCTB
|
|
حجم فایل
|
76.056
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
15
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
ROHM Semicon RQ3C150BCTB
-
Power Dissipation (Pd):
20W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
60nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
4800pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
37A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.2V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
6.7mΩ@4.5V,15A
-
Package:
HSMT-8
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
