ZXMN10A08E6TA دیتاشیت

ZXMN10A08E6TA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ZXMN10A08E6TA
حجم فایل 91.294 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ZXMN10A08E6TA-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated ZXMN10A08E6TA
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 7.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 405pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 250mΩ@10V,3.2A
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه