دیتاشیت SI2301-ZE
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI2301-ZE
|
| حجم فایل |
59.997
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
7
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
HXY MOSFET SI2301-ZE
-
Power Dissipation (Pd):
0.7W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
285pF
-
Continuous Drain Current (Id):
2.3A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
126mΩ@4.5V
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
HXY MOSFET
