دیتاشیت SI2324DS-T1-GE3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI2324DS-T1-GE3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 72.482 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI2324DS-T1-GE3-VB |
SI2324DS-T1-GE3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SI2324DS-T1-GE3-VB
- Power Dissipation (Pd): 2.5W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 2A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 240mΩ@10V,1.5A
- Package: SOT-23-3
- Manufacturer: VBsemi Elec
