SQ2389ES-T1_GE3 دیتاشیت

SQ2389ES-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQ2389ES-T1_GE3
حجم فایل 86.589 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SQ2389ES-T1_GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQ2389ES-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 420pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 94mΩ@10V,10A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه