SQS481ENW-T1_GE3 دیتاشیت

SQS481ENW-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQS481ENW-T1_GE3
حجم فایل 95.654 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SQS481ENW-T1_GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQS481ENW-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 385pF@75V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.095Ω@5A,10V
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه