BC847BVN,115 دیتاشیت

BC847BVN,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC847BVN,115
حجم فایل 52.319 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت BC847BVN,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BC847BVN,115
  • Transistor Type: 1PCSNPN&1PCSPNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-666-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه