KTD1003-B-RTF/P دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
KTD1003-B-RTF/P
|
|
حجم فایل
|
70.438
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
3
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
KEC Semicon KTD1003-B-RTF/P
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
1A
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Transition Frequency (fT):
250MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
1200@300mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
170mV@50mA,5mA
-
Package:
SOT-89-3
-
Manufacturer:
KEC Semicon
