دیتاشیت BFN 18 H6327
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
BFN 18 H6327
|
| حجم فایل |
30.079
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
12
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Infineon Technologies BFN 18 H6327
-
Transistor Type:
-
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
200mA
-
Power Dissipation (Pd):
1.5W
-
Transition Frequency (fT):
70MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
25@1mA,10V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
300V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
500mV@20mA,2mA
-
Package:
SOT-89
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
