SQM90142E_GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SQM90142E_GE3
|
|
حجم فایل
|
80.269
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SQM90142E_GE3
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
375W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
85nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
200V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
4200pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
95A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
15.3mΩ@10V,20A
-
Package:
TO-263
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
