- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت NTJD1155LT2G
NTJD1155LT2G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | NTJD1155LT2G |
|---|---|
| حجم فایل | 103.131 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت NTJD1155LT2G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: onsemi NTJD1155LT2G
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 400mW
- Drain Source Voltage (Vdss): 8V
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 175mΩ@1.2A,4.5V
- Package: SC-88-6
- Manufacturer: onsemi
