BC857B دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BC857B
|
|
حجم فایل
|
72.802
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
3
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Shikues BC860B
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
310mW
-
Transition Frequency (fT):
150MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
110@2mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
15nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
45V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
250mV@100mA,5mA
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
Shikues
