SI3993DV-T1-E3 دیتاشیت

SI3993DV-T1-E3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI3993DV-T1-E3
حجم فایل 75.641 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SI3993DV-T1-E3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI3993DV-T1-E3
  • Power Dissipation (Pd): 830mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 133mΩ@10V,2.2A
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه