DMN2014LHAB-7 دیتاشیت

DMN2014LHAB-7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMN2014LHAB-7
حجم فایل 90.465 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت DMN2014LHAB-7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7
  • Power Dissipation (Pd): 800mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@4.5V,4A
  • Package: DFN-6(2x3)
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه